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- 2023-02-21 发布于四川
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本实用新型公开了提供一种LDMOS器件，包含：P型衬底，P型衬底为源极；位于P型衬底上的外延层；位于外延层上的栅极，栅极的上边缘和侧边缘处围绕有场板；位于栅极上的漏极，栅极与漏极之间设置有层间隔离介质；以及填充有导电介质的漏极沟槽和源极沟槽，漏极沟槽连接外延层和漏极，源极沟槽连接外延层和场板。该LDMOS器件结构简单，且横向尺寸小。本实用新型同时提供一种包含上述LDMOS器件的半导体装置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212725321 U
(45)授权公告日 2021.03.16
(21)申请号 202021382634.5
(22)申请日 2020.07.14
(73)专利权人 和舰芯片制造（苏州）股份有限公
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