一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管.pdfVIP

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2023-02-22 发布于四川
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一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管.pdf

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本实用新型公开了一种基于碳化硅的槽型肖特基PIN二极管，该器件包括：半导体衬底，半导体衬底上的N型重掺杂区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的金属区，该金属区设在N型轻掺杂区中间，N型轻掺杂区和金属区上表面的硅氧化物区，硅氧化物区上的P型掺杂区和低掺杂本征半导体区，该低掺杂本征半导体区设在P型掺杂区两侧，覆盖P型掺杂区上表面、且贯穿P型掺杂区并延伸至金属区上表面的正极，低掺杂本征半导体区上表面的绝缘区，N型重掺杂区上表面的负极。该器件通过金属区和N型轻/重掺杂区构成的肖特基二极管，和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212783464 U (45)授权公告日 2021.03.23 (21)申请号 202022141624.9 (22)申请日 2020.09.25 (73)专利权人厦门芯一代集成电路有限公司