2023-2025年刻蚀设备行业调研与市场分析报告.pptx

2023-2025年刻蚀设备行业调研与市场分析报告汇报人：徐伟纶 时间：2022-12-21 1 . 行业发展概述2 .行业环境分析3 .行业现状分析4 .行业格局及趋势CONTENT目 录 行业发展概述PART 01 行业定义定义刻蚀是用化学、物理、化学物理结合的方法有选择的去除（光刻胶）开口下方的材料。被刻蚀的材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶。刻蚀是与光刻相联系的图形化处理工艺。刻蚀就是利用光刻胶等材料作为掩蔽层，通过物理、化学方法将下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方去掉，从而在下层材料上获得与掩膜板图形对应的图形。湿法刻蚀:用液体化学剂去除衬底表面的材料。早期普遍使用，在3um以后由于线宽控制、刻蚀方向性的局限，主要用干法刻蚀。目前，湿法刻蚀仍用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。干法刻蚀:常用等离子体刻蚀，也称等离子体刻蚀，即把衬底暴露于气态中产生的等离子，与暴露的表面材料发生物理反应、化学反应。刻蚀主要参数:刻蚀速率、均匀性、选择比（对不同材料的刻蚀速率比）、刻蚀坡面（各向异性、各向同性）。应用最广泛的刻蚀设备是ICP与CCP，技术发展方向是原子层刻蚀（ALE）。电容性等离子体刻蚀CCP:能量高、精度低，主要用于介质材料刻蚀（形成上层线路）——诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。电感性等离子体刻蚀ICP:能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀（形成底层器件）——硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。ALE:技术发展方向，能精确刻蚀到原子层（约0.4nm），具有超高刻蚀选择率。应用广泛。特点 产业链上游刻蚀设备行业上游龙头企业已开始对产业链进行延伸，逐渐进军原材料生产领域，以规避高额进口原料的成本支出，攫取上游毛利。此外，伴随着上游原料生产企业的重组进程加快以及中国市场参与者技术水平的提高，刻蚀设备行业上游原材料供应有望朝着专业化和规模化的方向继续发展，逐渐抢夺外资企业在行业内的话语权。 产业链中游刻蚀设备行业中游企业原材料大部分依靠进口，主要原因是下游消费终端为保障科研成果，对行业产品的质量稳定性要求较高，因此，中游科研用制备厂商更倾向于选择仪器先进、供应链稳定的进口原材料供应商。企业产品价格主要受市场供求关系的影响。由于刻蚀设备企业的产品毛利较高，原材料价格波动不会对企业的盈利能力产生重大影响。 产业链下游刻蚀设备行业下游企业市场空间广阔、销售范围广、用户分散、单批数量少、销售单价高等特点。随着全球范围内生物医药行业研究的深入及产业化程度的提升，中国行业产品种类进一步丰富，应用领域持续增加，个性化、高端化的产品将逐渐获得更广阔的应用空间。 行业环境分析PART 02 行业政策环境1出要支持制造企业加强绿色设计，提高网络设备等信息处理设备能效，推动低功耗芯片等产品和技术在移动通信中的应用，推动电源、空调等配套设施绿色化改造。工信部《工业能效提升行动计划》重点布局高性能处理器、FPGA芯片、存储芯片等领域，并对选择领域的销售（营业收入）做出了相应的要求。发改委、工信部《关于做好2022年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》提出实施产业链强链补链行动，加强面向多元化应用场景的技术融合和产品创新，提升产业链关键环节竞争力，完善5G、集成电路、新能源汽车、人工智能、工业互联网等重点产业供应链体系。各项政策的提出，进一步加大了半导体行业的扶持力度，助推行业国产化进程。国务院《“十四五”数字经济发展规划》 行业政策环境201020304半导体首台套装备、集成电路首批次新材料、首版次关键软件产品,按规定享受首台套产品有关支持政策。鼓励各地加大对技术改造的扶持力度，对以设备额为标准计算政府补助、奖励资金的技术改造项目，可将企业实施技术改造购买的软件、信息服务支出纳入投资额计算。政治环境《新时期促进浙江省集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》以总额高达5000万元的扶持资金、16条惠企政策,重点关注从事功率半导体及集成电路产业的各类企业和组织，支持集成电路设讦和设备、功率半导体、第三代半导体及集成电路的行业融合应用。《关于促进长沙高新区功率半导体及集成电路发展的若干政策》在设备环节,聚焦三维集成特色工艺,研发刻蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨(CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目;在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺,推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业