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一种氮氧化物传感器芯片空腔结构的填充装置.pdfVIP

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  • 2023-02-26 发布于四川
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一种氮氧化物传感器芯片空腔结构的填充装置.pdf

    本实用新型公开了一种氮氧化物传感器芯片空腔结构的填充装置，在底板上端真空罩的顶部开设安装孔并设置弹力膜，弹力膜的下端固定连接底板上端设置的下压装置，利用真空罩一侧外壁上设置的真空泵吸取真空罩内部空气制造真空环境，弹力膜在外界压强的作用下进行下陷，带动下压装置下压填充件，方便快捷，填充件的流延片的上端贴附有PET膜，PET膜与流延片大小相同，且流延片和PET膜的通过四角处开设的定位孔对齐叠压于传感器芯片空腔结构的基片上端，弹力膜真空下压压板使填充流延片沿腔室边缘断裂，正好填入腔室中，撕扯PET膜，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212958818 U (45)授权公告日 2021.04.13 (21)申请号 202021230967.6 (22)申请日 2020.06.28 (73)专利权人 镇江芯源诚达传感科技有限公司

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