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. * (2) Ⅱ—Ⅵ价化合物 典型的如ZnSe，低温工作可得到0.46～0.53?m的辐射，室温输出0.50～0.51?m。 GaN可望得到蓝光和紫外半导体激光器。 在长波段，以GaSb和GaInAsSb/AlGaAsSb为工作物质的激光器可在30℃下连续工作输出2.2?m的辐射。而基于价带内不同能量位置的跃迁，可望获得50～250?m连续可调的输出。 典型激光器简介全文共197页，当前为第158页。 . * 二、态密度和电子的激发 被空穴占据几率 电子自旋角动量为h/2，属于Fermon，遵循Fermi-Dirac统计 能量为E的态被电子占据的几率为 典型激光器简介全文共197页，当前为第159页。 . * T=0K时，本征半导体中的电子全部集中在价带，导带中几乎没有电子 典型激光器简介全文共197页，当前为第160页。 . * T0K时，即使达到300K，kT也只有10-2eV的两级，而半导体的带隙一般是eV两级，所以一般仍有 根据Fermi-Dirac统计，可知导带中的载流子占据几率为 价带中的载流子占据几率为 典型激光器简介全文共197页，当前为第161页。 . * 导带中只有很少量电子，且服从Boltzman分布定律,集中在相对靠近EF 的导带底部。 价带基本被电子占满，只有少量空穴，且按照Boltzman分布律集中在相对靠近EF 的价带顶部。 典型激光器简介全文共1