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创作时间:二零二一年六月三十天
第三章、器件之勘阻及广创作
创作时间:二零二一年六月三十天
一、超深亚微米工艺条件下 管主要二阶效应:
、速度饱和效应:主要表此刻短沟道 管 速度饱和效
应不明显 主要原由是 太大年夜 在沟道电场强度不高时载流
子速度正比于电场强度() 即载流子迁徙率是常数 但在
电场强度很高时载流子的速度将因为散射效应而趋于饱和 不再
随电场强度的
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