数字集成电路设计笔记归纳.pdf

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创作时间:二零二一年六月三十天 第三章、器件之勘阻及广创作 创作时间:二零二一年六月三十天 一、超深亚微米工艺条件下 管主要二阶效应: 、速度饱和效应:主要表此刻短沟道 管 速度饱和效 应不明显 主要原由是 太大年夜 在沟道电场强度不高时载流 子速度正比于电场强度() 即载流子迁徙率是常数 但在 电场强度很高时载流子的速度将因为散射效应而趋于饱和 不再 随电场强度的

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