电子技术基础(第五版)康华光05场效应管放大电路.pptxVIP

;N沟道;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;P型硅衬底;当vGS 0时,;符号;（2）vDS对沟道的控制作用;P型硅衬底;（3） vDS和vGS同时作用时;综上分析可知：;3. 特性曲线;② 可变电阻区;② 可变电阻区;③ 饱和区（恒流区/放大区）;（2）转移特性;符号;;2. 特性曲线;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.4 MOSFET的主要参数;二、交流参数 ;三、极限参数 ; FET与BJT的比较; 场效应管放大电路与三极管放大电路结构上相类似，有三种组态：共源极放大电路(CS)、共漏极放大电路(CD)和共栅极放大电路(CG)。　;一、直流偏置及静态工作点的计算;假设工作在饱和区，即;假设工作在饱和区;N沟道增强型MOS管电路的静态分析:;2、带源极电阻的NMOS共源极放大电路;VG ＝0，IDQ ＝I;二、 图解分析;三、 小信号模型分析;;2、MOSFET放大电路分析举例;s;s;例2：;;;5.3.1 JFET的结构和工作原理;代表符号;2. 工作原理;② vDS对沟道的控制作用;③ vGS和vDS同时作用时;5.3.2 JFET的特性曲线及参数;与耗尽型MOSFET类似;一、直流偏置及静态工作点的计算;2、分压式自偏压