一种高压功率半导体芯片的封装结构.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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一种高压功率半导体芯片的封装结构.pdf

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本实用新型提供一种高压功率半导体芯片的封装结构，包括基板；位于部分集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，高压功率半导体芯片的发射极与发射极导电层电学连接；集电极引出端子，位于集电极导电层上且与集电极导电层电学连接；发射极引出端子，位于发射极导电层上且与发射极导电层电学连接；集电极引出端子包括第一段区，发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向发射极引出端子凹进，和/或，第二段区朝向集电极引出端子凹进；第一绝缘填充层，第一段区与第二段区之间，该封装结构具有较

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213042912 U (45)授权公告日 2021.04.23 (21)申请号 202022539999.0 (22)申请日 2020.11.05 (73)专利权人全