抽运光高斯分布假设.docxVIP

1）抽运光高斯分布假设 光纤耦合的半导体激光器发出抽运激光，经过平凸透镜组成的光学系统或自聚焦透镜构成的耦合器后，入射到激光晶体端面。其抽运光光强的空间分布可以用高斯函数来近似，设抽运光平行z轴入射到z=0面，并辐射在晶体中心时，在z=0面（xy面）上抽运光_T「」尤一a/2）2+（y—b/2）2q 分布表达式为1（x，y，0）=10exp[—2n]（i）其中I0为抽运光中心在Z=0面处的功率密度，o为光束的高斯半径。激光晶体对抽运光的吸收系数为p,当抽运光平行Z轴传播时，光强由于被吸收而减弱，由吸收规律Z=Z面的光强为I（X，y，z）=I（x，y，0）exp（—pz）（2）. 2）激光晶体内产生的热功率密度 由于激光晶体荧光量子效应和内损耗吸收抽运光的能量远大于其他原因引起的晶体吸收的能量,仅考虑品体由于荧光量子效应和内损耗吸收抽运光能量所产生的热量。z=z面品体吸收能量产生在的热功率密度为/.「c（x—a/2）2+（y—b/2）2「/O、 qv（x，y，z）=HI（x，y，z）=I门exp[—2]exp（—pz）0o2 （3）其中门为由荧光量子效应和内损耗决定的热转换系数门=\-气/七（4）其中p为半导体激光器抽运光波长808nm，xl为谐振腔的振荡激光波长1064nm。 3）品体的边界条件由于品体放置在冷却器内，品体侧面温度保持相对恒定，设为T0。作为热模型数学处理可设其为0