2016年模拟电子技术基础期末试题及参考答案.pdfVIP

2016年模拟 电子技术基础期末试题及参考答案 填空题 1 . 在常温下，硅二 管 的门槛 电压约为0.5V,导通后在较大电流下 的正向压降约 为 皿 V ；错 二 管 的 门槛 电压 约为 0.1 V , 导通后在 较大 电流下 的正 向压 降约为0.2 V 。 2、二 管的正向电阻 小 ；反 向 电 阻 大 。 3、二 管的最主要特性是 单向导电性