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- 2023-03-04 发布于四川
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本实用新型提供了一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。立体封装结构包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；引脚框架设有用于对外连接的引脚；基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。MRAM存储器包括上述立体封装结构；基片为MRAM芯片；电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；关键信号引脚通过立体封装结构中的金属连接线互连。本实用新型的立体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213184261 U
(45)授权公告日 2021.05.11
(21)申请号 202021835589.4
(22)申请日 2020.08.28
(73)专利权人 珠
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