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静电放电保护结构.pdfVIP

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  • 2023-03-05 发布于北京
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静电放电保护结构.pdf

    本实用新型提供了一种静电放电保护结构，包括由多个MOS晶体管组成的放电区域，其中，放电区域包括中心区域以及周边区域，MOS晶体管包括栅极以及漏极，该栅极到该漏极之间的长度为MOS晶体管的轻掺杂漏极长度，MOS晶体管包括位于中心区域的中心MOS晶体管以及位于周边区域的周边MOS晶体管，中心MOS晶体管的轻掺杂漏极长度大于周边MOS晶体管的轻掺杂漏极长度，本实用新型提供的静电放电保护结构通过将位于其放电区域不同位置的MOS晶体管的轻掺杂漏极长度设置成不同，使得每个MOS晶体管的触发电压基本相等，从而

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212165 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022571861.9 (22)申请日 2020.11.09 (73)专利权人 长江存储科技有限责任公司

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