华工半导体物理期末总结.pdfVIP

一、p-n 结 1 . P N 结的杂质分布、空间电荷区，电场分布 1（）按照杂质浓度分布，P N 结分为突变结和线性缓变结 突变 结一 P 区与N 区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在 金结面处 x（= 0 ） 发生突变。 单边突变结一一侧的浓度远大于另一侧，分别记为 P N + 单边突变结和P+N 单边突变结。 后面的分析主要是建立在突变结 单（边突变结）的基础上 COO 突变结近似