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- 2023-03-05 发布于北京
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本实用新型实施例提供一种光刻结构和半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构包括光刻结构，光刻结构包括抗反射层、在抗反射层上形成的热缩材料层、在热缩材料层上形成的平坦层和在平坦层上形成的光刻胶层。这样，通过在光刻胶层的下方先涂布热缩材料层，形成的光刻结构再经过后续的曝光、显影，在光刻胶层上形成光刻图案，再经过硬烤之后，热缩材料层经过均匀收缩，能够使已形成的光刻图案进一步精细化，以便于后续工艺根据光刻图案形成更精细化的微缩图案。所以，本实用新型实施例提供的光刻结构和半导体结构能够用于形成更精细化的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212111 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202021575839.5
(22)申请日 2020.07.31
(73)专利权人 泉芯集成电路制造(济南)有限公
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