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- 2023-03-05 发布于北京
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本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统,以解决晶圆外延后的背面硅渣问题,提升晶圆外延后的产品质量,该承片台包括承载面,承载面包括凹槽,凹槽的直径与晶圆的直径相匹配,使晶圆位于承载面上时,晶圆的背面仅部分位置直接与承载面相接触,晶圆背面的边缘为悬空状态,使晶圆在中转时将易堆积和积累硅渣的背面边缘区域悬空,避免了已加工的晶圆对承片台和待加工的晶圆的影响,有助于提高产品的质量及性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212143 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202021141566.3
(22)申请日 2020.06.18
(73)专利权人 成都士兰半导体制造有限公司
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