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一种鳍型半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-03-08 发布于四川
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一种鳍型半导体器件.pdf

    本实用新型涉及一种鳍型半导体器件。该鳍型半导体器件包括：衬底和第一鳍片部，所述第一鳍片部立设于所述衬底上，所述第一鳍片部具有根部区和硅锗区，所述根部区与所述衬底连接，所述硅锗区位于所述根部区上方，所述硅锗区中含有锗元素；浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构形成在所述衬底上，所述浅沟道隔离结构位于所述第一鳍片部的宽度方向的两侧，位于所述浅沟道隔离结构上方的所述硅锗区的高度范围为45nm‑60nm；栅极结构，所述栅极结构跨设在所述硅锗区的中间区域上，所述栅极结构覆盖在至少一部分所述硅锗区和所述浅沟道隔

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213340383 U (45)授权公告日 2021.06.01 (21)申请号 201922167972.0 (22)申请日 2019.12.05 (73)专利权人 唐世沅 地址 42

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