石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔.pdfVIP

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2023-03-08 发布于四川
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石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔.pdf

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本实用新型公开了石墨盘翻转式GaN单晶衬底激光预剥离集成腔，采用包含相变材料的保温托盘实现石墨圆盘的保温，在一定时间内可使保温托盘维700℃以上高温，将显著降低GaN单晶衬底片因温度突变或温度过低导致生长质量问题的概率，提高GaN单晶生长质量；采用集成腔室与HVPE设备连接，腔室内部可实现一定真空度或充填惰性气体，并具有加热保温功能，可以保证GaN单晶衬底片在整个中转过程中的环境氛围，确保后续工艺中的GaN单晶衬底生长质量；采用具有保温功能的中转托盘在集成腔中全盘转接保温托盘中的GaN单晶衬底片

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213327937 U (45)授权公告日 2021.06.01 (21)申请号 202021705694.6 (22)申请日 2020.08.17 (73)专利权人中