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一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构.pdfVIP

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  • 2023-03-08 发布于四川
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一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构.pdf

    本实用新型涉及传感器技术领域，尤其涉及一种磁阻传感器及磁阻感测结构，其中，包括：一基体，于基体的平面设置至少一个倾斜沟槽，倾斜沟槽包括两个斜面，每个斜面设置多个串联的磁阻感测单元，每个磁阻感测单元上设置有多个导体单元，形成至少一桥臂；多个导体单元和多个磁阻感测单元均延伸至基体的平面和斜面的底部平面。有益效果：便于感测垂直方向磁分量和\或水平方向磁分量，可减低斜面角度偏大时斜面刻蚀偏差带来的灵敏度低下的问题，弥补工艺误差且提高磁场的测量精度，以及提高产品的整体良率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213337994 U (45)授权公告日 2021.06.01 (21)申请号 202022371023.7 (22)申请日 2020.10.22 (73)专利权人 上海矽睿科技有限公司

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