原创力文档- 3
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- 2023-03-08 发布于四川
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一种低静态功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，解决了现有SRAM存储器静态功耗较高及易受到单粒子翻转的影响的问题，属于集成电路技术领域。本实用新型采用12个晶体管，其中PMOS晶体管P1～P4和NMOS晶体管N1～N2为上拉晶体管，NMOS晶体管N3～N4、N7～N8为下拉晶体管，NMOS晶体管N5～N6为存取晶体管。这些上拉、下拉和存取晶体管形成四个存储节点，即节点Q、QN、S1和S0。字线(WL)与存取晶体管的栅极相连，位线BL和BLN与存取晶体管的漏极(或源)相连。本实用新型的存储器能够
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213303651 U
(45)授权公告日 2021.05.28
(21)申请号 202022702053.1
(22)申请日 2020.11.20
(73)专利权人 杨霆
地址 150
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