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一种超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器.pdfVIP

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  • 2023-03-08 发布于四川
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一种超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器.pdf

    一种超低功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，解决了现有SRAM存储器容易受到单粒子翻转的影响的问题，属于集成电路技术领域。本实用新型采用12个晶体管，其中PMOS晶体管P1～P6为上拉晶体管，NMOS晶体管N1～N4为下拉晶体管，NMOS晶体管N5～N6为存取晶体管。这些上拉、下拉和存取晶体管形成四个存储节点，即节点Q、QN、S1和S0。字线与存取晶体管的栅极相连，位线BL和BLN与存取晶体管的源极相连。本实用新型的存储器能够正确地实现读、写和保持操作，且使四个节点存在抗单粒子翻转恢复机制，实

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213303652 U (45)授权公告日 2021.05.28 (21)申请号 202022702139.4 (22)申请日 2020.11.20 (73)专利权人 杨霆 地址 150

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