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- 2023-03-08 发布于四川
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本实用新型公开了一种用于激光二极管芯片快速扩晶的装置,涉及到激光二极管芯片扩晶领域,包括箱体,所述箱体的表面通过转轴转动连接有箱门,所述箱体的底部固定安装有扩晶块,所述扩晶块的顶部中心处开设有扩晶圆模槽,所述扩晶块的底部开设有第一空腔,所述第一空腔内部设置有顶出机构,所述箱体的顶部固定安装有液压杆,所述液压杆的底部固定安装有扩晶压圆盘,所述扩晶压圆盘的内部开设有第二空腔,所述第二空腔内部设置有加热机构,所述箱体内部设置有快速冷却机构。本实用新型能够对压型完成的晶圆进行快速冷却,加快塑性速度,提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213341069 U
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202022508293.8
(22)申请日 2020.11.03
(73)专利权人 武汉智汇芯科技有限公司
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