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一种半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-03-08 发布于四川
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一种半导体器件.pdf

    公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；第一介质层，位于衬底的顶表面上，第一介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，且贯穿孔内设有导电插塞；第二介质层，位于第一介质层的顶表面上，第二介质层远离有源区部分的厚度大于靠近有源区部分的厚度；第一金属层，位于第二介质层的顶表面上，经第二介质层的侧表面向下延伸至有源区上方，并通过导电插塞与有源区电连接。该半导体器件通过改进第二介质层的结构，使顶层的第一金属层经由第二介质层延伸至有源区上方，与有源区电连接，无需

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213340370 U (45)授权公告日 2021.06.01 (21)申请号 202022406430.7 (22)申请日 2020.10.26 (73)专利权人 北京燕东微电子科技有限公司

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