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本申请属于半导体器件技术领域,提供了一种电流放大器及单光子探测器,所述电流放大器包括衬底、绝缘层、本征半导体、N型阳极掺杂区、N型阴极掺杂区、P型掺杂区、空穴吸收器、阳极电极、阴极电极以及接地电极,其中,绝缘层设于衬底上,本征半导体设于绝缘层上,N型阳极掺杂区和N型阴极掺杂区分别设于所述绝缘层表面、且位于所述本征半导体相对的两侧,P型掺杂区设于N型阴极掺杂区与本征半导体之间,阳极电极与N型阳极掺杂区连接,阴极电极与N型阴极掺杂区连接,接地电极与空穴吸收器连接,从而提高了器件增益,解决了现有的放大
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213366613 U
(45)授权公告日 2021.06.04
(21)申请号 202021663959.0
(22)申请日 2020.08.10
(73)专利权人 深圳信息职业技术学院
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