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一种沟槽埋栅GaN HEMT器件.pdfVIP

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  • 2023-03-11 发布于四川
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一种沟槽埋栅GaN HEMT器件.pdf

    本实用新型公开了一种沟槽埋栅GaNHEMT器件，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底，所述衬底顶部淀积一层AlN，所述AlN为器件缓冲层，所述器件缓冲层顶部生长一层不掺杂的GaN，所述GaN为沟道层，所述沟道层内壁通过光刻刻蚀形成第一凹槽，所述第一凹槽内壁填充AlGaN一，所述沟道层顶部生长AlGaN二，所述AlGaN一与所述AlGaN二形成势垒层，所述势垒层一端通过光刻选择性掺杂硅原子形成N型AlGaN，所述势垒层内壁通过光刻刻蚀形成第二凹槽，所述第二凹槽内壁填充Al2O3，所

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213459744 U (45)授权公告日 2021.06.15 (21)申请号 202022941732.4 (22)申请日 2020.12.11 (73)专利权人 西安迈驰半导体科技有限公司

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