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一种深槽结构高浪涌能力器件.pdfVIP

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  • 2023-03-11 发布于四川
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一种深槽结构高浪涌能力器件.pdf

    本实用新型公开了一种深槽结构高浪涌能力器件，具体涉及半导体器件领域，其技术方案是：包括设置在器件容纳槽中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽顶端通过器件密封盖密封，所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1并联形成等效结构，所述低残压结构TVS管T1的阳极与低正向残压二极管D1的阳极相连，所述低残压结构TVS管T1的阴极与低正向残压二极管D1的阴极相连，本实用新型的有益效果是：克服了小尺寸下浪涌电流无法提高的问题，从而使得产品能够在更小的尺寸下实现大浪涌保护，采用

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213459735 U (45)授权公告日 2021.06.15 (21)申请号 202022941737.7 (22)申请日 2020.12.11 (73)专利权人 西安迈驰半导体科技有限公司

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