原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型属于半导体技术领域，提供一种耐高压屏蔽栅功能MOSFET芯片，包括N+衬底层，在所述N+衬底层上方设有N‑型基区层，在所述N‑型基区层上方嵌入有两个P型基区，在每个所述P型基区上方嵌入有两个N+集电区，屏蔽栅设置在两个所述P型基区之间深入所述N‑型基区层内部，其特征在于：所述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，所述沟槽薄氧内部设置有连栅极多晶硅，所述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧，所述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区，所述P+型基区外部设置有P‑型包围层。能够增大了器件的击穿电压，降低了导通电阻，且有
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213424996 U
(45)授权公告日 2021.06.11
(21)申请号 202022591957.1
(22)申请日 2020.11.11
(73)专利权人 深圳市尚芯微电子科技有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
文档评论（0）