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- 2023-03-11 发布于四川
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本实用新型公开了一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构，包括衬板(1)，所述衬板(1)上连有芯片(3)，所述芯片(3)上键合有键合线(2)，所述衬板(1)上分别预留有集电极键合区域(5)、发射极键合区域(6)、门级键合区域(7)和集电极信号端键合区域(8)，所述芯片(3)和键合线(2)外部包裹有塑封材料结构(9)，所述衬板(1)的背面设置有金属面(4)，所述金属面(4)裸漏在所述塑封材料结构(9)的外侧。本实用新型提供的用于高压大功率焊接式IGBT器件内部衬板，能够避免芯片打火现象、提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213459728 U
(45)授权公告日 2021.06.15
(21)申请号 202022506549.1
(22)申请日 2020.11.03
(73)专利权人 南瑞联研半导体有限责任公司
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