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一种多芯片并联的半桥型IGBT模块.pdfVIP

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  • 2023-03-11 发布于四川
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一种多芯片并联的半桥型IGBT模块.pdf

    本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括：金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异，提高芯片开通一致性，避免某一芯片过早失效。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213459734 U (45)授权公告日 2021.06.15 (21)申请号 202022429352.2 (22)申请日 2020.10.28 (73)专利权人 南瑞联研半导体有限责任公司

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