(5.9.2)--集成门电路电路及电路.pptVIP

所谓多发射极晶体管， 可看作由多个晶体管的集电极和基极分别并接在一起，而发射极作为逻辑门的输入端。多个发射极 的发射结可看作是多个钳位二极管，其作用是限制输入端可能出 现的负极性干扰脉冲。Tl的引入，不但加快了晶体管T2储存电荷 的消散，提高了TTL与非门的工作速度，而且能够实现“与”逻辑作用。 3.6V 0.3V R4 R3 R5 R2 R1 A B C 3KΩ +UCC 750Ω 100Ω 300Ω 3KΩ 5V F T1 T2 T3 T4 T5 (U0) (Ui) 一、TTL与非门 输入级 中间级 输出级 TTL与非门内部电路组成结构图 课点16 集成门电路 二极管晶体管集成逻辑门电路DTL、晶体管晶体管集成逻辑门电路TTL以及金属氧化物半导体场效应晶体管集成门电路MOS等。 R4 R3 R5 R2 R1 A B C 3KΩ +UCC 750Ω 100Ω 300Ω 3KΩ 5V F T1 T2 T3 T4 T5 (U0) (Ui) 工作原理 R4 R3 R5 R2 R1 A B C 3KΩ +UCC 750Ω 100Ω 300Ω 3KΩ 5V F T1 T2 T3 T4 T5 (U0) (Ui) 当输入A、B、C中有一个为低电平时 0.3V 3.6V 3.6V 3.6V 0.3V T1的基极电位为0.3+0.7=1V。 1V VF＝UCC－IB3R2－UBE3－UBE4≈5－0.7－0.7≈3.6V 3.6V ②输入端全部为高电平时： R4 R3 R5 R2 R1 A B C 3KΩ +UCC 750Ω 100Ω 300Ω 3KΩ 5V F T1 T2 T3 T4 T5 (U0) (Ui) 3.6V 3.6V 3.6V 3.6V 0.3V 2.1V 0.3V 输入有0，输出为1;输入全1，输出为0 ② UOL典型值0.3V TTL与非门的电压传输特性曲线和主要参数 U0H UIL U0L UIH A B C D E u0/V ui/V 1 2 3 1 2 3 4 TTL与非门电压传输特性曲线 输出高电平 ①U0H典型值3.6V ③关门电平UOFF典型值为1V ④开门电平UON典型值为1.4V 。 UON 输出低电平 UOFF 关门电平 开门电平 二、集电极开路与非门（OC门） 去掉普通TTL与非门中的T3、T4管，让T5管的集电极开路，即构成集电极开路的“与非”门。 R5 T3 T4 R4 R1 A B C R2 +5V T1 T2 R3 T5 F (U0) (Ui) RC +UC OC门在使用时要外接一个电源UC和一个电阻RC OC门的特点是输出门T5的集电极开路。 R1 A B R2 +5V T1 T2 R3 T5 F RC +UC 0.3V UC OC门电路的逻辑图符号 A B F OC门可实现“线与”逻辑 A B F1 C D F2 F “线与” 逻辑功能 RC ＋UC 三、三态门 三态门与普通TTL与非门相比，只是多出了一个电阻和两个二极管。 三态门控制端EN=1时，二极管D2截止，相当于控制端放弃控制权，此时三态门相当于一个普通与非门，输出取决于输入端A、B的状态。 三态门控制端EN=0时，T1饱和，基极电位约为1V，使T2、T5截止，同时D2导通使T3、T4也截止。呈现高阻态。 由于电路在EN=1时输出有高、低电平两种状态；在EN=0时输出为高阻态，共呈三种状态，因此称为三态门。 D2 R5 T3 T4 R4 R1 A B R2 +UCC T1 T2 R3 T5 F EN R D1 三态门逻辑图符号 A B E/D F EN 所谓多发射极晶体管， 可看作由多个晶体管的集电极和基极分别并接在一起，而发射极作为逻辑门的输入端。多个发射极 的发射结可看作是多个钳位二极管，其作用是限制输入端可能出 现的负极性干扰脉冲。Tl的引入，不但加快了晶体管T2储存电荷 的消散，提高了TTL与非门的工作速度，而且能够实现“与”逻辑作用。