模拟法测绘静电场分布.ppt

第一页，共十四页，2022年，8月28日 实验目的 1、学习用模拟法测绘静电场的原理和方法 2、研究两种形状电极的电场分布情况 第二页，共十四页，2022年，8月28日 实 验 仪 器 EQC—2 型 静 电 场 测 绘 仪 第三页，共十四页，2022年，8月28日 在一些电子器件和设备中有时需要知道其中的电场分布，一般都通过实验的方法来确定。但是在直接测量静电场也遇到很大困难，主要困难在于把探针伸入静电场时，探针上会产生感应电荷，使原电场产生显著的畸变。故实验时常用模拟方法来测量。 第四页，共十四页，2022年，8月28日 一、长同轴柱面的电场 1、静电场 如图a所示，在真空中有一个 半径为 的高为h的长圆柱体导体 A和一个内半径为 的高为h的长 圆筒导体B，它们的中心重合。 设电极AB的电位分别为 （接地） 各带等量异号电荷，则在两 电极之间产生静电场。 A B ( 图 a) 实验原理 第五页，共十四页，2022年，8月28日 如图b1所示为垂直轴线的一截面S，由于对称性，截面S内有均匀分布的辐射状电力线。设内外柱面各带等量异号电荷 ，作半径为r的高斯面,如图b2所示（柱面），设此面的场强E，由高斯定理得： 则 A B S ( 图 b1) A B S ( 图 b2) r 第六页，共十四页，2022年，8月28日 由边界条件得： 代入上式得： 即 整理得： 第七页，共十四页，2022年，8月28日 2、模拟场 通常情况下，同轴柱面的电极是用铜制成的，铜的电阻率很小是良导体，在AB间充满均匀的不良导体，其薄层厚度为t，材料的电阻率为 ，在两极接上电压后，不良导体中产生电流，则半径r的圆周到 的圆周之间不良导体的电阻为： 第八页，共十四页，2022年，8月28日 同理可得半径为 的内柱面到半径为 的外柱面的总电阻 于是从内柱面的总电流 外柱面（ ）至半径为r的柱面的电位 第九页，共十四页，2022年，8月28日 将上式代入本式得 即模拟电场的分布与静电场分布相同。由于 则 所以不良导体内的场强分布与原真空中的场强E完全相同。 第十页，共十四页，2022年，8月28日