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本实用新型公开了一种半导体硅片研磨装置,包括底座,所述底座上侧壁固定连接有两个支撑板,两个所述支撑板的相对侧壁共同固定连接有顶板,所述顶板的上侧壁固定连接有电机,所述电机的输出轴固定连接有第一转杆,所述第一转杆的下端固定连接有打磨石,两个所述支撑板的相对侧壁设有固定机构,所述固定机构包括放置板,所述底座上壁设有安装板,所述安装板上侧壁设有限位槽。本实用新型保证了硅片在研磨时的稳定性,使硅片在研磨过程中不会发生偏移,保证了硅片研磨后的厚度均匀和硅片产品的质量,还可以根据硅片的厚度进行高度调节,能够
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213498152 U
(45)授权公告日 2021.06.22
(21)申请号 202022244955.5
(22)申请日 2020.10.11
(73)专利权人 西安市多极电磁技术有限公司
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