高二物理竞赛课件p-n结电容.pptxVIP

p-n结电容p-n结电容pn结电容的来源交流情况下，pn结的存储电荷对外界的响应——微分电容势垒电容扩散电容空间电荷区随外加偏压的变化而变窄或变宽，从而空间电荷数量发生变化。这种势垒区宽度对外加电压变化引起的微分电容称为势垒电容。在正偏下，n区注入空穴，伴生等量的电子。这种随外加电压变化，在扩散区内存在等量正、负电荷的变化引起的电容称为扩散电容。突变结（耗尽层近似下）——平行板电容对于单边突变结截距就是势垒高度，斜率就是轻掺杂一侧的浓度1.突变结的势垒电容和结面积、轻掺杂一侧的杂质浓度的平方根成正比。2.突变结的势垒电容和电压(VD-V)的平方根成反比。注意：采用了耗尽层近似——在反向偏压下更适用。而在正向偏压下，有载流子进入势垒区，它们对电容也有贡献。我们一般认为：外加偏压为0时pn结的势垒电容线性缓变结——仍然是平行板电容在大的正向偏压下，扩散电容为主！例题 例. 一个p-n结二极管作为压控电容(变容二极管,随V而变)，反偏电压为2V时，其可变电容为200PF，问需要加多大的反偏电压，才能使它的电容减小到100PF? 设VD=0.85V。例题 例.由电阻率为1?·cm的p型Ge和0.1 ?·cm的n型Ge组成一个p-n结，计算在室温下内建电场的电压差VD和阻挡层宽度XD。作业：1、2、3、11补充：简述pn结的三种击穿机理。p-n结击穿对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然迅速增大的现象称为pn结击穿。 发生击穿时的反向偏压称为结的击穿电压。 击穿现象中，电流增大的基本原因不是由于迁移率的增大，而是由于载流子数目的增加。 到目前为止，pn结击穿共有三种：雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿。 反偏时，pn结的反向电流由p区扩散到势垒区中的电子电流和由n区扩散到势垒区中的空穴电流所组成。反偏↑→势垒区中的电场↑→电子和空穴的动能↑→与晶格原子发生碰撞时，把价键上的电子碰撞出来，成为导电电子，同时产生一个空穴——碰撞电离。 →继续碰撞→载流子大量增加——称为载流子的倍增效应→反向电流↑→从而发生pn结击穿——这就是雪崩击穿的机理。