高二物理课件隧道击穿（齐纳击穿）.pptxVIP

隧道击穿（齐纳击穿）;2023/3/10;2023/3/10;2023/3/10;2023/3/10;2023/3/10;2023/3/10;2023/3/10;解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。 受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。 受主电离前带不带电，电离后带负电。 例如，在Si中掺B，B为Ⅲ族元素，而本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入B中后，B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离。;解：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。 例如，在常温情况下，本征Si中的电子浓度和空穴浓度均为1.5x1010cm-3。当在Si中掺入1.0x1016cm-3 的P后，半导体中的电子浓度将变为1.0x1016cm-3，而空穴浓度将近似为2.25x104cm-3。半导体中的多数载流子是电子，而少数载流子是空穴。 5、解：两性杂质是指在半导体中既可作施主又可作受主的杂质。如Ⅲ-Ⅴ族GaAs中掺Ⅳ族Si如果Si替位Ⅲ族As，则Si为施主；如果Si替位Ⅴ族Ga，则Si为受主。所掺入的杂质具体是起施主还是受主与工艺有关。 6、解：深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。 浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。 7、当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。 利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。