高二物理课件迁移率与杂质浓度和温度的关系.pptxVIP

迁移率与杂质浓度和温度的关系 迁移率与杂质浓度和温度的关系多种散射机制存在时对于掺杂的Si、Ge 主要散射机制：电离杂质散射和声学波散射1.杂质浓度很高的情况Ni1018cm-32.杂质浓度不是很高的情况3.室温下，高纯Si、Ge、GaAs的迁移率μn(cm2/ V·s)μp(cm2/ V·s)Si1350500GaA题：对于掺杂的GaAs该如何分析？ 主要散射机制：电离杂质散射、声学波散射、光学波散射注意：此处的掺杂浓度是掺入杂质的总浓度与杂质浓度的关系重掺杂：不完全电离，μ减小，偏离直线关系与温度的关系杂质电离1载流子来源本征激发2杂质半导体电离杂质散射3迁移率因素晶格散射4与温度的关系载流子变化迁移率变化1234低温随T增加忽略随T增加忽略室温全电离次要次要随T降低高温次要随T增加次要次要本征半导体主要由ni决定，ρ单调下降杂质半导体室温例2用本征半导体Si制成一个热敏电阻，在290K时电阻R1=500Ω，设Si的Eg=1.12eV，且不随温度变化，假设载流子迁移率不变，计算在T=325K时热敏电阻的近似值。 在室温下，对Si材料有 Ni3×10155.5×10151.3×10162.3×10162.6×10162×10172.03×1017μn1040102010101000990700690μp430420400390380300290在室温下，对Si材料有则掺杂情况P：3×1015B：1.3×1016P：1.0×1016B：1.0×1016P：1.3×1016B：3×1015Ga：1.0×1017As：1.0×1017导电类型少子浓度μnμp电阻率