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第二章 硅氧化 微电子技术工艺原理 第三章 硅氧化 第1页，共41页。 教学大纲 概述 第一章 晶体生长 第二章 硅氧化 第三章 扩散 第四章 离子注入 第五章 扩散淀积 第六章 外延 第八章 光刻 第九章 金属化 第十章 工艺集成 第2页，共41页。 Contents Thermal oxidation process used to form Silicon dioxide (SiO2) Impurity redistribution during oxidation Material properties and thickness measurement techniques for SiO2 films 第3页，共41页。 Thin films used in fabrication of devices and ICs Thermal oxides dielectric layers polycrystalline silicon metal films 第4页，共41页。 一、SiO2的结构和性质 第5页，共41页。 一、SiO2的结构和性质 通常热氧化生长的SiO2是非晶