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一种MOSFET扇出型封装结构.pdfVIP

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  • 2023-03-14 发布于四川
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一种MOSFET扇出型封装结构.pdf

    本实用新型公开一种MOSFET扇出型封装结构，其中，MOSFET扇出型封装结构包括：第一塑封层，第一塑封层沿其厚度方向开设有通孔，通孔由上下两个小孔端相邻的锥形孔连通而成；封装于第一塑封层内的MOSFET，位于MOSFET一侧的第一I/O口和位于MOSFET另一侧的第二I/O口分别外露于第一塑封层；导电柱，填充于通孔内；第一电连接结构，位于第一塑封层的一侧并与导电柱的一端以及第一I/O口连接；第二电连接结构，位于第一塑封层的另一侧并与导电柱的另一端以及第二I/O口连接。本实用新型通过激光双面钻锥

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213583763 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202022481042.5 H01L 23/482 (2006.01)

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