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第三章扩散 扩散是微观粒子(原子、分子等)运动的普遍的物理现象。扩散 的动力是浓度的梯度，粒子从高浓度区向低浓度区进行热运动，使 浓度分布趋于均匀。 扩散是半导体掺杂的重要方法之一，扩散方法首先由Pfann在 1952年提出来，广泛应用于集成电路中，形成晶体管的基极、发射 极、集电极，电阻，MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。 硅集成电路工艺中，采用SiO2作为掩膜，进行选择性扩散。 主要内容 3.1、杂质扩散机构 3.2、扩散系数与扩散方程 3.3、扩散杂质的分布 3.4、影响杂质分布的其他因素 3.5、扩散工艺 3.6、扩散工艺的发展 3.7、与扩散有关的测量 3.1、杂质扩散机构 杂质原子的扩散方式有以下几种： ①交换式：两相邻原子由于有足够高的能 量，互相交换位置。 ②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能 移动过来。 ③填隙式：在空隙中的原子挤开晶格