一种高可靠共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构.pdfVIP

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2023-03-15 发布于北京
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一种高可靠共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构.pdf

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本发明公开一种高可靠共浮栅型Flash存内计算器件及阵列结构，属于微电子集成电路领域。通过FGMOS型权重编程管T2控制FGMOS型权重存储管T3的电导状态，权重调节范围广；采用电子注入效率高的BTBT编程方式，可以有效地提升编程速率；同时，该BTBT编程方式与CHHE及FN编程方式相比，可以减小编程操作对Flash存内计算器件隧道氧化层质量的不利影响，进一步提升该存内计算器件结构的可靠性和工作寿命。本发明通过增加MOS型选通管T1解决阵列中Flash单元的权重配置干扰问题，增强Flash阵列的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005477 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111294860.7 (22)申请日 2021.11.03 (71)申请人中国