传感器技术与应用 课件全套 罗锋华 电子第1--8章 认识传感器---数字式传感器.ppt

目录 7.1 光电元件 7.1.1 光电效应 7.1.2 常见的光电元件 7.2 光电式传感器的类型及应用 7.2.1 光电开关传感器的类型 7.2.2 光电式传感器的应用 7.3 光纤传感器 7.3.1 光纤传感器的结构与原理 7.3.2 光纤传感器的应用 思考题与习题7 结束 7.1 光电元件 光电式传感器的核心部件是光电元件，光电元件是一种基于光电效应，可以把光信号转换为电信号的器件。 光电式传感器可用于检测直接引起光信号变化的非电量，如光强、光照度、辐射温度、气体成分等； 7.1 光电元件 也可用来检测间接引起光信号变化的其他非电量，如应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、表面粗糙度、物体的接近程度、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触测量、响应速度快、性能可靠等优点，因此在工业自动化装置和机器人技术中得到了广泛应用。 7.1.1 光电效应 光电效应是指，物体将光能转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应，简单来说就是物体在光的照射下释放电子的现象。 被释放的电子称为光电子，光电子在外电场中运动所形成的电流称为光电流。光电效应一般可分为外光电效应和内光电效应两种。 7.1.1 光电效应1．外光电效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，又称光电子发射效应。 基于外光电效应的光电元件有光电管和光电倍增管。 7.1.1 光电效应1．外光电效应 光子是具有能量的粒子，每个光子具有的能量可由式（7.1）确定，即 （7.1） 式中，h—普朗克常数，h=6.626×7-34J·s； ν —光子的频率； c—光速，c=3×108m/s； λ —光的波长。 7.1.1 光电效应1．外光电效应 由式（7.1）可见，不同频率和波长的光具有不同的能量，光的频率越高（即波长越短），光子的能量就越大，光的能量就是光子能量的总和。 7.1.1 光电效应1．外光电效应 物体中的电子吸收了入射光子的能量，当足以克服物体的表面逸出功A0时，电子就可以逸出物体表面，产生光电子发射。换句话说，如果一个电子要想逸出物体表面，其吸收的光子的能量必须大于物体的表面逸出功A0，大于的部分表现为逸出电子的动能，即 （7.2） 7.1.1 光电效应2．内光电效应 在光线作用下，物体吸收入射光子的能量，在物体内部激发载流子，但这些载流子仍留在物体内部，而使其导电性或物体内部的电荷分布发生变化，这种现象被称为内光电效应。内光电效应有两种：光电导效应和光生伏特效应。 7.1.1 光电效应2．内光电效应-光电导效应 物体受光照后，物体吸收入射光子的能量，其内部载流子被激发，从而使其电阻率下降，这种现象被称为光电导效应。绝大多数高电阻半导体都具有光电导效应，基于光电导效应的光电元件有光敏电阻，其常用的材料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）、非晶硅（α-Si）等。 7.1.1 光电效应2．内光电效应-光电导效应 当光照射到光电半导体上时，若这个光电半导体是本征半导体材料，而且光辐射能量又足够强，半导体材料价带上的电子将被激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。材料的光导性能取决于禁带宽度，入射光子的能量应大于禁带宽度Eg，即 (7.3) 6.2.1 霍尔式传感器的工作原理1．霍尔效应 从上式可以看出，霍尔电势除了与磁感应强度和激励电流成正比，还与霍尔元件的厚度成反比，所以为了提高霍尔电势，霍尔元件常制成薄片状。霍尔系数RH，与霍尔元件的电阻率和电子迁移率成正比，虽然金属材料的电子迁移率高，但其电阻率低，导致霍尔系数小，不适合制成霍尔元件。 因此霍尔元件用电阻率和电子迁移率都比较高的半导体材料制成。 6.2.1 霍尔式传感器的工作原理2．霍尔元件 图6.17所示为霍尔元件，其结构简单，一般为四端元件，如图6.17（b）所示，从一个矩形薄片状半导体基片上两个相互垂直方向的侧面上，各引出一对电极，两个电极为激励电流输入端，另外两个电极为霍尔电势输出端。有的霍尔元件只有三个电极，两个电极是激励电流输入端，另外一个电极为霍尔电势输出端 。 6.2.1 霍尔式传感器的工作原理2．霍尔元件 （a）外形 （b）结构 （c）图形符号 图6.17 霍尔元件 6.2.1 霍尔式传感器的工作原理2．霍尔元件 霍尔元件具有许多优点： 结构牢固，体积小，质量小，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHz），耐振动，不怕