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一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构.pdfVIP

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  • 2023-03-18 发布于北京
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一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构.pdf

    本实用新型公开一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构，包括：设置于P‑阱区和N‑漂移区上的多个沟槽，每一所述沟槽的下部填充第一绝缘介质，每一所述沟槽的上部按比例填充第二绝缘介质和多晶硅。本实用新型提供一种提高抗短路能力的沟槽栅IGBT结构，其在每一沟槽的下部填充绝缘介质，每一沟槽的上部按比例选择性地填充绝缘介质或多晶硅，填充多晶硅的部分形成栅极，填充绝缘介质的部分形成假栅，当栅极电压达到开启电压时，栅极形成电子通道，假栅部分无法形成电子导电通道，该设计有效的降低了沟道密度，减小了饱和电流，提高了

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213692061 U (45)授权公告日 2021.07.13 (21)申请号 202023147748.4 (22)申请日 2020.12.23 (73)专利权人 深圳吉华微特电子有限公司

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