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一种半导体器件防潮结构.pdfVIP

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  • 2023-03-18 发布于北京
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一种半导体器件防潮结构.pdf

    本实用新型公开一种半导体器件防潮结构，包括：衬底和形成于所述衬底表面的阱，所述阱内形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周边的衬底形成一圈隔离区。本实用新型的半导体器件防潮结构，将器件形成于阱内，而阱周围的衬底形成所述器件的隔离区，该设计有效防止了外部环境对于器件的干扰，利用其自身结构实现器件的防潮效果。与现有的芯片级防潮结构相比，不需要通过挖槽工艺做复杂的防潮环，降低了工艺复杂度和生产成本。而且由于本半导体器件防潮结构在芯片级即满足可靠性的要求，故在封装时无需做复杂的封装

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213691995 U (45)授权公告日 2021.07.13 (21)申请号 202023161487.1 (22)申请日 2020.12.23 (73)专利权人 深圳吉华微特电子有限公司

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