一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片.pdfVIP

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2023-03-20 发布于四川
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一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片.pdf

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本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片，其不同之处在于：其由下至上依次包括n型GaAs衬底、缓冲层、下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第一上包层、GaInP层、光栅层、光栅覆盖层、第二上包层和接触层，还包括位于n型GaAs衬底下方的n面电极和位于接触层上方的p面电极。本实用新型具有较高的单模出光功率，偏振特性可通过有源区量子阱的应变进行控制。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213717249 U (45)授权公告日 2021.07.16 (21)申请号 202023094801.9 G04F 5/14 (2006.01) (22)申请日 20