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氮化硅介电常数 氮化硅介电常数，又称介电常数、反射率或折射率，指材料表面反射一种电场或折射一种电场时，每经过一次反射或折射，该表面所反射或折射之电力在每单位面积上的平均大小。它是定义一个材料表面上反射或折射一种电场的重要指标，也是很多电子元件的基本参数之一。 氮化硅是具有均匀的表面和纳米级特性的纳米晶硅，具有超高的抗腐蚀性，均质性良好的多孔性，和优良的电磁特性，可以将氮化硅用于扩散、隔离、介电和整流等多种电子应用，氮化硅材料以其光学性质提供了非凡的介电性能。 晶体硅(Si)衍射率（介电常数）主要是由晶体整体结构决定的，这是由其中的单元结构、原子紧凑度和电子在晶体中的活动性决定的。由于大多数的纳米尺度的介电材料是由N位置的原子组成的，在N位置的纳米尺度上，它的介电性质也不同于大晶体尺度。在很多应用中，如在纳米级尺寸和超微尺度应用中，介电常数的变化更加明显。 在介电常数测试方面，多数研究表明，氮化硅介电常数小于晶体硅，在低温时介电常数更低。在常温下，氮化硅的介电常数一般为11.8，而在低温下介电常数可以降低到3.5左右。其原因是低温条件下氮化硅的内部微结构有所变化，晶体内的态密度和电子体系发生变化，介电常数也由此而变化。 氮化硅介电常数的应用非常广泛，几乎遍及了微电子技术、电子技术和生物技术等领域。氮化硅介电常数的变化在纳米尺度和超微尺度电容上有重大的影响，在制造电容器、存储器和显示屏等技术中，电容器的尺寸和介电常数密切相关。由于氮化硅材料介电常数变化范围比较大，可以应用到高频、宽频和超宽带等众多功能中去。