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本实用新型涉及一种可动态调整刻蚀均匀性的等离子反应器，包括等离子反应腔以及控制系统PC，等离子反应腔内的晶圆上部设有多个上下层叠的遮挡环，每个遮挡环的中部开口，自上而下遮挡环的开口直径逐渐增大，每个遮挡环由各自独立的驱动机构带动其水平方向平移，每个驱动机构由控制系统PC内部程序来控制其工作状态。本实用新型通过多个层叠的可移动遮挡环结构设计，实现了气流通道容积可变调节，借助PC控制系统动态调整气体流动模式，进而使得在晶圆表面处的等离子的形态和自由基的状态得到动态调节，该结构可以实现不同刻蚀工艺均匀
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213781985 U
(45)授权公告日 2021.07.23
(21)申请号 202120187954.3
(22)申请日 2021.01.25
(73)专利权人 中芯集成电路制造（绍兴）有限公
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