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光电检测试验报告 专 业：应用物理学 姓 名：叶 长 军学 号：10801030125 指导教师：王 颖实验时间：2011.4 重庆理工大学光电信息学院 实验原理: 实验一 光敏电阻特性实验 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为： ?? ? ?p ? e ? ? p ? ?n ? e ? ? n ，e 为 电荷电量， ?p 为空穴浓度的改变量， ?n 为电子浓度的改变量， ? 表示迁移率。当两端加 上电压 U 后，光电流为： I ? A ??? ?U ph d 式中 A 为与电流垂直的表面，d 为电极间的间距。在一定的光照度下， ?? 为恒定的值， 因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图 1-2 所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图 1-2 光敏电阻的伏安特性曲线 图 1-3 光敏电阻的光照特性曲线实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（做光照特性测试，由用户自备或选配） 实验步骤: 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观