PNP和NPN区别分析和总结.docx

NPN 和 PNP 三极管的区别 NPN 和 PNP 主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E 极电位最低，且正常放大时通常 C 极电位最高，即 VC VB VE PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E 极电位最高，且正常放大时通常 C 极电位最低，即 VC VB VE 总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的， 你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且 BJT 的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。如今流行的电路图画法，通常习惯“阳上阴下”，也就是“正电源在上负电源在下”。 那 NPN 电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。 PNP 电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的 VC 和 VE 的关系。 一般的电路中，有了 NPN 的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满足上面的 6 个“极性”关系（4 个电流方向和 2 个电压不等式），BJT 电路就可能正常工作。 当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工 作点”条件。对于NPN 电路：对于共射组态，可以粗略理解为把VE 当作“固定”参考点， 通过控制 VB来控制 VBE（VBE=VB-VE），从而控制 IB，并进一步控制 IC（从电位更高的地方流进 C 极，你也可以把 C 极看作朝上的进水的漏斗）。对于共基组态，可以理解为把VB 当作固定参考点，通过控制 VE 来控制 VBE（VBE=VB-VE），从而控制 IB，并进一步控制 IC。如果所需的输出信号不是电流形式，而是电压形式，这时就在 C 极加一个电阻RC，把 IC 变成电压 IC*RC。但为满足 VCVE， RC 另一端不接地，而接正电源。而且纯粹从 BJT 本身角度，而不考虑输入信号从哪里来，共射组态和共基组态其实很相似，反正都是控制 VBE，只不过一个“固定” VE，改变 VB，一个固定 VB，改变VE。对于共射组态，没有“固定参考点”了，可以理解为利用 VBE 随 IC 或 IE 变化较小的特性，使得不论输出电流 IE 怎么变化（当然也有个限度），VE 基本上始终跟随 VB 变化（VE=VB-VBE）， VB 升高，VE 也升高，VB降低，VE 也降低，这就是电压跟随器的名称的由来。 PNP 电路跟 NPN 是对称的，例如：对于共射组态，可以粗略理解为把 VE 当作“固定”参考点，通过控制 VB 来控制 VEB（VEB=VE-VB），从而控制 IB，并进一步控制 IC（从 C 极流向电位更低的地方，你也可以把 C 极看作朝下的出水管）。对于共基组态，可以理解为把 VB当作固定参考点，通过控制 VE 来控制 VEB（VEB=VE-VB），从而控制 IB，并进一步控制 IC。 ?? 上面所有的VE 的“固定”二字都加了引号。因为E 点有时是串联负反馈的引入点，这时 VE 也是变化的，但这个变化是反馈信号，即由 VB 变化这个因造成的果。 NPN 和 PNP 的区别： 如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择 npn。 如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择 pnp。 如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择 npn。 如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择 pnp。 npn 基极高电压，集电极与发射极短路。低电压，集电极与发射极开路。也就是不工作。 pnp 基极高电压.集电极与发射极开路，也就是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路。NPN 和 PNP 三极管是两种工作电压相反的,通常 NPN 形管用在电源负极接地的电路中,而 PNP 管用在电源正极接地的电路中。 NPN 管是靠电子导电的,多数是用“硅”材料制成,而 PNP 管是靠空穴导电的,多数是用“锗”材料制成。简单说,发射极是发射电子或空穴的,集电极集合电子或空穴的,而基极则是控制电子或空穴流向集电极的数量,实现“以少控制多”的目的