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- 2023-03-21 发布于北京
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本实用新型公开了一种叉指电极GaNalpha粒子探测器，包括，叉指电极，Si3N4钝化层，p‑GaN层，n‑GaN层，欧姆金属电极；所述叉指电极、Si3N4钝化层与所述p‑GaN层连接；所述p‑GaN层通过所述n‑GaN层与所述欧姆金属电极连接；所述叉指电极与Si3N4钝化层连接，本实用新型提高了GaNalpha粒子探测器的性能，使得探测器可以在高温和高辐照等极端环境下工作，提高alpha粒子的探测效率。本实用新型公开的alpha粒子探测器的制备简单、探测效率高、能量分辨率高且器件性能稳定，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213782029 U
(45)授权公告日 2021.07.23
(21)申请号 202120019419.7
(22)申请日 2021.01.06
(73)
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