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- 2023-03-23 发布于北京
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本实用新型公开了一种基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器，包括一选通管；用于存储写入时的数据的第一忆阻器；用于辅助判断第一忆阻器是否写入正确的第二忆阻器；一定值电阻；所述选通管的源极电性连接到DL端，所述选通管的栅极电性连接到WL端，所述选通管的漏极分别电性连接到第一忆阻器的负极、第二忆阻器的负极和定值电阻的一端，所述第一忆阻器的正极电性连接到BL端，所述第二忆阻器的正极电性连接到CL端，所述定值电阻的另一端接地。本实用新型能够在读取数据时忽略写入失效带来的错误，同时结合相应的时序可以检测出单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213877590 U
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202022544494.3
(22)申请日 2020.11.06
(73)专利权人 苏
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