一种增强型HEMT器件.pdfVIP

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2023-03-27 发布于北京
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一种增强型HEMT器件.pdf

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本实用新型公开了一种增强型HEMT器件,包括SiC衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al组分渐变的AlGaN势垒层、Mg掺杂Al组分渐变的AlGaN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极，本实用新型采用Al组分渐变的AlGaN势垒层来替代AlGaN势垒层，降低了Mg扩散的难度，避免了传统P型栅因刻蚀所产生的机械损伤，并提高了器件的栅控能力，有利于实现高阈值电压的GaN增强型功率器件。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213936195 U (45)授权公告日 2021.08.10 (21)申请号 202023155557.2 H01L 29/207 (2006.01)