1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约1.09万字
  • 约 11页
  • 2023-03-27 发布于四川
  • 举报

一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管.pdf

    本实用新型公开了一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管，包括自下往上依次设置的衬底层、应力缓冲层、GaN外延层和p‑GaN掩埋层，其中，GaN外延层上表面未被p‑GaN掩埋层覆盖的部分设置有GaN沟道层，并且GaN沟道层还覆盖p‑GaN掩埋层上表面的一部分；GaN沟道层的上表面设置有势垒层；势垒层的上表面两侧分别设置有p‑GaN盖帽层和欧姆接触电极，p‑GaN盖帽层位于p‑GaN掩埋层的上方；p‑GaN盖帽层的上表面以及p‑GaN掩埋层上表面未被GaN沟道层覆盖的部分设置有肖特基电极。本实

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213958964 U (45)授权公告日 2021.08.13 (21)申请号 202023161369.0 (22)申请日 2020.12.23 (73)专利权人 宁

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >